Vion 等离子聚焦离子束的半导体应用

速度比基于液态金属离子源的 FIB 快 20 倍

Vion™ 等离子聚焦离子束系统 (PFIB) 是第一款融合等离子源技术的 FEI 产品。利用超过 1 微安的射束电流,它能够以比基于液态金属离子源 (LMIS) 的 FIB 快得多的速度(>20 倍)去除材料,后者通常在几十毫微安下便已达到速度高峰。Vion 可以在低射束电流下保持出色的铣削精度和成像分辨率。由于速度提高了 20 倍,使得切片制备和分析各种新关键技术变得切实可行,而这些技术已成为半导体行业中新产品开发的主要推动因素,例如三维封装中使用的硅穿孔 (TSV) 和晶片堆叠技术。




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高速、大面积切片分析和材料去除

Vion PFIB 能使您的实验室实力大增,因为只需这一台使用简便的设备便可获得一流的铣削和成像性能。在位置特异性切片分析铣削和用于其他分析方法的感兴趣的大区域制备上,通量较传统的镓基 FIB 提高 20 倍以上。


创新等离子 FIB 源技术

Vion PFIB 使用的是与当今绝大多数基于 FIB 的系统(镓 LMIS)完全不同的离子源技术。FEI 开发的这种新的离子源和离子镜筒可实现高精度高速切削和铣削。此外,这款 PFIB 还能有选择地沉积构成图案的导体和绝缘体。通过将高速铣削与精准控制相结合,此系统能够以多种方式用于半导体器件的开发和制造,例如:

  • 隆起物、丝焊、TSV 和晶片堆叠失效分析
  • 精确去除材料,以便开展失效分析以及隔离埋入晶片上的故障
  • 用于晶片/封装级别的工艺监控和开发
  • 对封装的零件和 MEMS 器件开展缺陷分析
 

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