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Hyperion 的半导体应用

具有 PicoCurrent 故障可视化功能的基于扫描探针显微镜 (SPM) 的纳米探查系统

Hyperion 系统为电气表征和故障定位提供快速准确的晶体管探查功能,以支持半导体技术的开发并改进良率工程和器件可靠性。Hyperion 系统无可匹敌的稳定性支持精细到 10 nm 及更细微技术节点上的纳米探查。

Hyperion 的 SPM 技术可实现 PicoCurrent 成像,这种技术可快速识别短路、开路、漏电路径和电阻接触,灵敏度比无源电压衬度像技术高 1000 多倍。扫描电容显微镜 (SCM) 模块提供基于图像的 SOI 晶圆故障定位功能以及高分辨率掺杂分布。

功能

  • 适用于 10 nm 技术的经过验证的纳米探查解决方案
  • 可配置四个、六个或八个探针,以提高灵活性和能力水平
  • 自动更换探头和自动接近探头可提高工作效率和易用性




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Hyperion 系统的高级测量模式包括:(1) 低噪声、高分辨率的电容电压 (C-V) 模式,用于研究氧化层和界面陷阱;(2) 脉冲 IV 模式,用于识别开路和电阻栅缺陷;(3) 高温探查模式,用于研究器件可靠性。
PicoCurrent 图像(左)指示可疑的晶体管,而 I-V 曲线(右)证实了电气特性异常

电流电压 (I-V) 测量

要探查目标区域内的多个晶体管以定位故障,可能需要很长时间。Hyperion 系统将 PicoCurrent 成像与 I-V 探查相结合,以快速找到潜在缺陷并测量电流电压曲线,而不会引入与测量有关的偏移。

电容电压 (C-V) 测量

C-V 用于研究氧化层、界面陷阱和电荷载子密度。Hyperion 系统提供高分辨率 C-V,而且阻抗控制出色、漏电量少、噪声非常低。

多栅极到 NMOS 漏极 C-V 的 C-V 测量值
PicoCurrent 图像(左)指示可疑的晶体管,而 I-V 曲线(右)证实了电气特性异常

脉冲 I-V 测量

脉冲 I-V 用于研究 SOI 自加热和高介电质中的陷阱电荷。Hyperion 系统可在不足一纳秒的上升时间内高速测试器件。

 

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