DualBeam 显微镜

Helios PFIB EFI 的半导体应用

世界最先进的 DualBeam Plasma FIB 平台,用于半导体失效分析、工艺开发和过程控制应用

半导体行业不仅在失效分析上面临重大的挑战,而且在定位高级器件中的故障时也遇到困难。传统的剥层技术(使用机械或化学剥层)已经走到尽头,因为材料越来越脆弱,层次变得很薄,所以在临界接触层进行有效终点测量变得不切实际。

FEI 的 Helios™ PFIB 提供一系列独特的功能,可在这些半导体器件上进行高速、高产的故障隔离和失效分析。该系统结合了 FEI 的高性能等离子镜筒、专有的 Dx 逆向处理技术和 Elstar™ UC 低电压 SEM 技术,以提供深入到晶体管接触层的准确免损终点测量。PFIB EFI 上还提供许多其他 Helios 平台选项和功能,包括硅刻蚀、划区腐蚀化学、红外线/可见光显微镜及 EBSD 和 EDX 等分析功能。





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位置特异性样品制备和探查

Helios PFIB EFI 基于完全集成 SEM 和纳米探查功能的世界最高级的 DualBeam Plasma FIB 平台,提供位置特异性样品制备、精密剥层和零损伤 SEM 终端测量及原位精准探查,以进行 EBIC/EBAC 和
晶体管表征。
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Dx 和 PFIB 逆向处理样品上基于 SEM 的纳米探查 - 晶体管表征
在 Helios PFIB EFI 系统上使用 EBAC 进行基于 SEM 的纳米探查,以进行器件调试和表征
使用 Dx 化学品和 PFIB 电子束在 Helios PFIB 上进行大面积逆向处理,以隔离电气故障 - 成像分析和纳米探查。

高产器件表征

Helios PFIB EFI 可以通过特定兴趣区域上的多个金属层均匀地逆向处理数百平方微米的面积,同时保持器件的其余部分完好无损并且电气功能正常。它提供经过现场验证的功能,可深入到接触层处理高级 (<14nm) 节点器件,支持器件表征,而不会令晶体管因机械剥层或 SEM 损伤而导致电气特性降级。

 

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